| номер части | GBL08-G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Single Phase |
| Технологии | Standard |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 800V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 4A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1V @ 2A |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 10µA @ 800V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | 4-SIP, GBJ |
| Пакет устройств поставщика | GBJ |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
GBL005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 50V 4A GBL | подробности |
 |
GBL005 D2G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL | подробности |
 |
GBL005-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL | подробности |
|
GBL005-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL | подробности |
|
GBL005HD2G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL | подробности |
 |
GBL005_1 | TSC | Single Phase 4.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers | подробности |
 |
GBL01 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 100V 4A GBL | подробности |
|
GBL01 D2G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBL | подробности |
|
GBL01-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL | подробности |
|
GBL01-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL | подробности |
