CDBGBSC20650-G - Comchip Technology

номер части	CDBGBSC20650-G
Статус детали	Active
Конфигурация диода	1 Pair Common Cathode
Тип диода	Silicon Carbide Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	650V
Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод)	33A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.7V @ 10A
скорость	No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	100µA @ 650V
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 175°C
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-247-3
Пакет устройств поставщика	TO-247
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
CDBGBSC101200-G	Comchip Technology	DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER	подробности
CDBGBSC201200-G	Comchip Technology	DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER	подробности
CDBGBSC20650-G	Comchip Technology	DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER	подробности