BCY59-VII - Central Semiconductor Corp

номер части	BCY59-VII
Статус детали	Active
Тип транзистора	NPN
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	45V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	700mV @ 2.5mA, 100mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)	10nA (ICBO)
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	120 @ 2mA, 5V
Мощность - макс.	1W
Частота - переход	150MHz
Рабочая Температура	-65°C ~ 200°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Пакет устройств поставщика	TO-18
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BCY30A	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO5 Metal Package.	подробности
BCY31A	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO5 Metal Package.(64V, 0.1A)	подробности
BCY33A	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO5 Metal Package.(32V, 0.1A)	подробности
BCY34A	SEME-LAB	SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS	подробности
BCY39A	SEME-LAB	SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS IN TO-5	подробности
BCY56	ST	BCY56 ST CAN3 New Original Stocks	подробности
BCY57	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package	подробности
BCY58	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package.	подробности
BCY58VII	PHI	BCY58VII PHI CAN3 New Original Stocks	подробности
BCY59	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package	подробности