1N4619 TR - Central Semiconductor Corp

номер части	1N4619 TR
Статус детали	Active
Напряжение - Zener (Nom) (Vz)	3V
Толерантность	±5%
Мощность - макс.	250mW
Импеданс (макс.) (Zzt)	1600 Ohm
Текущий - обратный утечек @ Vr	800nA @ 1V
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1V @ 200mA
Рабочая Температура	-65°C ~ 200°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	DO-204AH, DO-35, Axial
Пакет устройств поставщика	DO-35
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
1N4001	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	подробности
1N4001 BK	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURPOSE DO41	подробности
1N4001 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURPOSE DO41	подробности
1N4001(M1)	TOS	1N4001(M1) TOS 1808L New Original Stocks	подробности
1N4001-A	DIODES	1.0A RECTIFIER	подробности
1N4001-B	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	подробности
1N4001-E3/53	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	подробности
1N4001-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	подробности
1N4001-E3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	подробности
1N4001-G	Comchip Technology	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	подробности