• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › BLS7G3135LS-350P,1
BLS7G3135LS-350P,1

BLS7G3135LS-350P,1 - Ampleon USA Inc.

номер части
BLS7G3135LS-350P,1
производитель
Ampleon USA Inc.
Краткое описание
RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BLS7G3135LS-350P,1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
BLS7G3135LS-350P,1.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
50 pcs
Справочная цена
USD 794.64/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BLS7G3135LS-350P,1

BLS7G3135LS-350P,1 Подробное описание

номер части BLS7G3135LS-350P,1
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS (Dual), Common Source
частота 3.5GHz
Усиление 10dB
Напряжение - испытание 32V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 200mA
Выходная мощность 320W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол SOT539B
Пакет устройств поставщика SOT539B
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BLS7G3135LS-350P,1

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BLS7G3135L-350P,11 BLS7G3135L-350P,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539A подробности
BLS7G3135LS-200U BLS7G3135LS-200U Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 12DB SOT502B подробности
BLS7G3135LS-350P,1 BLS7G3135LS-350P,1 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B подробности