• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › BLS7G2730LS-200PU
BLS7G2730LS-200PU

BLS7G2730LS-200PU - Ampleon USA Inc.

номер части
BLS7G2730LS-200PU
производитель
Ampleon USA Inc.
Краткое описание
RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BLS7G2730LS-200PU Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
BLS7G2730LS-200PU.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
55 pcs
Справочная цена
USD 473.6495/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BLS7G2730LS-200PU

BLS7G2730LS-200PU Подробное описание

номер части BLS7G2730LS-200PU
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS (Dual), Common Source
частота 2.7GHz ~ 3GHz
Усиление 12dB
Напряжение - испытание 32V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 100mA
Выходная мощность 200W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол SOT539B
Пакет устройств поставщика SOT539B
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BLS7G2730LS-200PU

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BLS7G2325L-105,112 BLS7G2325L-105,112 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 10V SOT502A подробности
BLS7G2729L-350P,11 BLS7G2729L-350P,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539A подробности
BLS7G2729LS-350P,1 BLS7G2729LS-350P,1 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B подробности
BLS7G2730L-200PU BLS7G2730L-200PU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539A подробности
BLS7G2730LS-200PU BLS7G2730LS-200PU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539B подробности
BLS7G2933S-150,112 BLS7G2933S-150,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT9221 подробности