• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › BLS6G3135S-120,112
BLS6G3135S-120,112

BLS6G3135S-120,112 - Ampleon USA Inc.

номер части
BLS6G3135S-120,112
производитель
Ampleon USA Inc.
Краткое описание
RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BLS6G3135S-120,112 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
BLS6G3135S-120,112.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
85 pcs
Справочная цена
USD 313.3305/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BLS6G3135S-120,112

BLS6G3135S-120,112 Подробное описание

номер части BLS6G3135S-120,112
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 3.1GHz ~ 3.5GHz
Усиление 11dB
Напряжение - испытание 32V
Текущий рейтинг 7.2A
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 100mA
Выходная мощность 120W
Напряжение - Номинальное напряжение 60V
Упаковка / чехол SOT-502B
Пакет устройств поставщика SOT502B
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BLS6G3135S-120,112

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BLS6G3135-120,112 BLS6G3135-120,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A подробности
BLS6G3135-20,112 BLS6G3135-20,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608A подробности
BLS6G3135S-120,112 BLS6G3135S-120,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B подробности
BLS6G3135S-20,112 BLS6G3135S-20,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608B подробности