• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › BLP27M810Z
BLP27M810Z

BLP27M810Z - Ampleon USA Inc.

номер части
BLP27M810Z
производитель
Ampleon USA Inc.
Краткое описание
RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BLP27M810Z Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
BLP27M810Z.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3750 pcs
Справочная цена
USD 20.9898/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BLP27M810Z

BLP27M810Z Подробное описание

номер части BLP27M810Z
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS (Dual), Common Source
частота 2.14GHz
Усиление 17dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 110mA
Выходная мощность 2W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол 16-VDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика 16-HVSON (4x6)
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BLP27M810Z

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BLP25M705Z BLP25M705Z Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN подробности
BLP25M710Z BLP25M710Z Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN подробности
BLP25RFE001E BLP25RFE001E Ampleon USA Inc. BLP25RFE001/SOT993/TRAYBDP подробности
BLP25RFE001Y BLP25RFE001Y Ampleon USA Inc. BLP25RFE001/SOT993/REELDP подробности
BLP27M810Z BLP27M810Z Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN подробности