| номер части | BLM8G0710S-45ABGY |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | LDMOS (Dual) |
| частота | 957.5MHz |
| Усиление | 35dB |
| Напряжение - испытание | 28V |
| Текущий рейтинг | - |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 30mA |
| Выходная мощность | 3W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 65V |
| Упаковка / чехол | SOT-1211-2 |
| Пакет устройств поставщика | 16-HSOP |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
BLM8G0710S-15PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122 | подробности |
 |
BLM8G0710S-15PBY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12112 | подробности |
 |
BLM8G0710S-30PBGY | Ampleon USA Inc. | IC MMIC DUAL 2-STAGE 16HSOP | подробности |
|
BLM8G0710S-30PBY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 | подробности |
|
BLM8G0710S-45ABGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122 | подробности |
 |
BLM8G0710S-45ABY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 | подробности |
 |
BLM8G0710S-60PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12122 | подробности |
 |
BLM8G0710S-60PBY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112 | подробности |
