• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › BLL6H1214-500,112
BLL6H1214-500,112

BLL6H1214-500,112 - Ampleon USA Inc.

номер части
BLL6H1214-500,112
производитель
Ampleon USA Inc.
Краткое описание
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BLL6H1214-500,112 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
BLL6H1214-500,112.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
40 pcs
Справочная цена
USD 541.31/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BLL6H1214-500,112

BLL6H1214-500,112 Подробное описание

номер части BLL6H1214-500,112
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS (Dual), Common Source
частота 1.2GHz ~ 1.4GHz
Усиление 17dB
Напряжение - испытание 50V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 150mA
Выходная мощность 500W
Напряжение - Номинальное напряжение 100V
Упаковка / чехол SOT539A
Пакет устройств поставщика SOT539A
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BLL6H1214-500,112

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BLL6H1214-500,112 BLL6H1214-500,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A подробности
BLL6H1214-500112 BLL6H1214-500112 NXP BLL6H1214-500112 NXP SMD or Through Hole New Original Stocks подробности
BLL6H1214L-250,112 BLL6H1214L-250,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A подробности
BLL6H1214LS-250,11 BLL6H1214LS-250,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B подробности
BLL6H1214LS-500,11 BLL6H1214LS-500,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B подробности
BLL6H1214P2S-250Z BLL6H1214P2S-250Z Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 50V 27DB MODULE подробности