• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › BLL6G1214L-250,112
BLL6G1214L-250,112

BLL6G1214L-250,112 - Ampleon USA Inc.

номер части
BLL6G1214L-250,112
производитель
Ampleon USA Inc.
Краткое описание
RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BLL6G1214L-250,112 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
BLL6G1214L-250,112.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3810 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BLL6G1214L-250,112

BLL6G1214L-250,112 Подробное описание

номер части BLL6G1214L-250,112
Статус детали Obsolete
Тип транзистора LDMOS
частота 1.2GHz ~ 1.4GHz
Усиление 15dB
Напряжение - испытание 36V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 150mA
Выходная мощность 250W
Напряжение - Номинальное напряжение 89V
Упаковка / чехол SOT-502A
Пакет устройств поставщика LDMOST
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BLL6G1214L-250,112

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BLL6G1214L-250,112 BLL6G1214L-250,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502A подробности
BLL6G1214LS-250,11 BLL6G1214LS-250,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502B подробности