BLF8G27LS-100J - Ampleon USA Inc.

номер части	BLF8G27LS-100J
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS
частота	2.5GHz ~ 2.7GHz
Усиление	17dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	900mA
Выходная мощность	25W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	SOT-502B
Пакет устройств поставщика	SOT502B
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BLF8G09LS-270GWJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C	подробности
BLF8G09LS-270GWQ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C	подробности
BLF8G09LS-270WJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B	подробности
BLF8G09LS-270WU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B	подробности
BLF8G09LS-400PGWJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C	подробности
BLF8G09LS-400PGWQ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C	подробности
BLF8G09LS-400PWJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B	подробности
BLF8G09LS-400PWU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B	подробности
BLF8G10L-160,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A	подробности
BLF8G10L-160,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A	подробности