BLF8G10LS-160,112 - Ampleon USA Inc.

номер части	BLF8G10LS-160,112
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS
частота	920MHz ~ 960MHz
Усиление	19.7dB
Напряжение - испытание	30V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	1.1A
Выходная мощность	35W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	SOT-502B
Пакет устройств поставщика	SOT502B
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BLF8G10L-160,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A	подробности
BLF8G10L-160,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A	подробности
BLF8G10LS-160,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B	подробности
BLF8G10LS-160,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B	подробности
BLF8G10LS-270,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B	подробности
BLF8G10LS-270,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B	подробности
BLF8G10LS-270GV,12	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C	подробности
BLF8G10LS-270GVJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C	подробности
BLF8G10LS-270V,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B	подробности
BLF8G10LS-270V,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B	подробности