• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › BLF6H10L-160,112
BLF6H10L-160,112

BLF6H10L-160,112 - Ampleon USA Inc.

номер части
BLF6H10L-160,112
производитель
Ampleon USA Inc.
Краткое описание
RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467C
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BLF6H10L-160,112 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
BLF6H10L-160,112.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
4381 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BLF6H10L-160,112

BLF6H10L-160,112 Подробное описание

номер части BLF6H10L-160,112
Статус детали Obsolete
Тип транзистора LDMOS
частота 952.5MHz ~ 957.5MHz
Усиление 20dB
Напряжение - испытание 50V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 600mA
Выходная мощность 38W
Напряжение - Номинальное напряжение 104V
Упаковка / чехол SOT467C
Пакет устройств поставщика SOT467C
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BLF6H10L-160,112

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BLF6H10L-160,112 BLF6H10L-160,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467C подробности
BLF6H10L-300P BLF6H10L-300P Ampleon USA Inc. RF FET подробности
BLF6H10LS-160,112 BLF6H10LS-160,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B подробности
BLF6H10LS-160,118 BLF6H10LS-160,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B подробности