BLF6G20-180RN,112 - Ampleon USA Inc.

номер части	BLF6G20-180RN,112
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	LDMOS
частота	1.93GHz ~ 1.99GHz
Усиление	17.2dB
Напряжение - испытание	30V
Текущий рейтинг	49A
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	1.4A
Выходная мощность	40W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	SOT-502A
Пакет устройств поставщика	LDMOST
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BLF6G20-110	NXP	BLF6G20-110 NXP SMD New Original Stocks	подробности
BLF6G20-110,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A	подробности
BLF6G20-180PN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A	подробности
BLF6G20-180RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502A	подробности
BLF6G20-230P	NXP USA Inc.	IC BASESTATION FINAL SOT502A	подробности
BLF6G20-230PRN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A	подробности
BLF6G20-230PRN,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A	подробности
BLF6G20-40,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.8DB SOT608A	подробности
BLF6G20-45,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A	подробности
BLF6G20-45,135	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A	подробности