BLF6G10-200RN,112 - Ampleon USA Inc.

номер части	BLF6G10-200RN,112
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	LDMOS
частота	871.5MHz ~ 891.5MHz
Усиление	20dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	49A
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	1.4A
Выходная мощность	40W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	SOT-502A
Пакет устройств поставщика	LDMOST
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BLF6G10-135RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A	подробности
BLF6G10-160RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A	подробности
BLF6G10-200RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A	подробности
BLF6G10-45,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A	подробности
BLF6G10-45,135	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A	подробности
BLF6G10L-260PBM,11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V SOT1110A	подробности
BLF6G10L-260PBM:11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V SOT1110A	подробности
BLF6G10L-260PRN,11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A	подробности
BLF6G10L-260PRN:11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A	подробности
BLF6G10L-40BRN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A	подробности