• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › BLF6G05LS-200RN,11
BLF6G05LS-200RN,11

BLF6G05LS-200RN,11 - Ampleon USA Inc.

номер части
BLF6G05LS-200RN,11
производитель
Ampleon USA Inc.
Краткое описание
RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BLF6G05LS-200RN,11 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
BLF6G05LS-200RN,11.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3831 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BLF6G05LS-200RN,11

BLF6G05LS-200RN,11 Подробное описание

номер части BLF6G05LS-200RN,11
Статус детали Obsolete
Тип транзистора LDMOS
частота 460MHz ~ 470MHz
Усиление 24dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг 49A
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 1.4A
Выходная мощность 40W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол SOT-502B
Пакет устройств поставщика LDMOST
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BLF6G05LS-200RN,11

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BLF6G05LS-200RN,11 BLF6G05LS-200RN,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B подробности
BLF6G05LS-200RN:11 BLF6G05LS-200RN:11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B подробности