• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › BLF3G21-6,112
BLF3G21-6,112

BLF3G21-6,112 - Ampleon USA Inc.

номер части
BLF3G21-6,112
производитель
Ampleon USA Inc.
Краткое описание
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BLF3G21-6,112 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
BLF3G21-6,112.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
4189 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BLF3G21-6,112

BLF3G21-6,112 Подробное описание

номер части BLF3G21-6,112
Статус детали Obsolete
Тип транзистора LDMOS
частота 2GHz
Усиление 15.5dB
Напряжение - испытание 26V
Текущий рейтинг 2.3A
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 90mA
Выходная мощность 6W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол SOT-538A
Пакет устройств поставщика 2-CDIP
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BLF3G21-6,112

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BLF3G21-30,112 BLF3G21-30,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C подробности
BLF3G21-6,112 BLF3G21-6,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A подробности
BLF3G21-6,135 BLF3G21-6,135 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A подробности
BLF3G22-30,112 BLF3G22-30,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A подробности
BLF3G22-30,135 BLF3G22-30,135 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A подробности