• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › BLF25M612G,112
BLF25M612G,112

BLF25M612G,112 - Ampleon USA Inc.

номер части
BLF25M612G,112
производитель
Ampleon USA Inc.
Краткое описание
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BLF25M612G,112 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
744 pcs
Справочная цена
USD 35.612/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BLF25M612G,112

BLF25M612G,112 Подробное описание

номер части BLF25M612G,112
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 2.45GHz
Усиление 19dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 10mA
Выходная мощность 12W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол SOT-975C
Пакет устройств поставщика CDFM2
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BLF25M612G,112

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BLF25M612,112 BLF25M612,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B подробности
BLF25M612,118 BLF25M612,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B подробности
BLF25M612G,112 BLF25M612G,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C подробности
BLF25M612G,118 BLF25M612G,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C подробности