• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › BLD6G22LS-50,112
BLD6G22LS-50,112

BLD6G22LS-50,112 - Ampleon USA Inc.

номер части
BLD6G22LS-50,112
производитель
Ampleon USA Inc.
Краткое описание
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BLD6G22LS-50,112 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
BLD6G22LS-50,112.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
4288 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BLD6G22LS-50,112

BLD6G22LS-50,112 Подробное описание

номер части BLD6G22LS-50,112
Статус детали Obsolete
Тип транзистора LDMOS (Dual), Common Source
частота 2.14GHz
Усиление 14dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг 10.2A
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 170mA
Выходная мощность 8W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол SOT-1130B
Пакет устройств поставщика CDFM4
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BLD6G22LS-50,112

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BLD6G21L-50,112 BLD6G21L-50,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A подробности
BLD6G21LS-50,112 BLD6G21LS-50,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B подробности
BLD6G22L-50,112 BLD6G22L-50,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A подробности
BLD6G22LS-50,112 BLD6G22LS-50,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B подробности