• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › BLA6G1011L-200RG,1
BLA6G1011L-200RG,1

BLA6G1011L-200RG,1 - Ampleon USA Inc.

номер части
BLA6G1011L-200RG,1
производитель
Ampleon USA Inc.
Краткое описание
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BLA6G1011L-200RG,1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
BLA6G1011L-200RG,1.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
272 pcs
Справочная цена
USD 268.39/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BLA6G1011L-200RG,1

BLA6G1011L-200RG,1 Подробное описание

номер части BLA6G1011L-200RG,1
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 1.03GHz ~ 1.09GHz
Усиление 20dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг 49A
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 100mA
Выходная мощность 200W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол SOT-502D
Пакет устройств поставщика LDMOST
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BLA6G1011L-200RG,1

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BLA6G1011-200R,112 BLA6G1011-200R,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A подробности
BLA6G1011L-200RG,1 BLA6G1011L-200RG,1 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D подробности
BLA6G1011LS-200RG, BLA6G1011LS-200RG, Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C подробности