| 부품 번호 | W947D6HBHX5E |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 형식 | DRAM |
| 과학 기술 | SDRAM - Mobile LPDDR |
| 메모리 크기 | 128Mb (8M x 16) |
| 클럭 주파수 | 200MHz |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 15ns |
| 액세스 시간 | 5ns |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 전압 - 공급 | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 작동 온도 | -25°C ~ 85°C (TC) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 60-TFBGA |
| 공급 업체 장치 패키지 | 60-VFBGA (8x9) |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
 |
W947D2HBJX5E | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA | 세부 |
|
W947D2HBJX5E TR | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA | 세부 |
|
W947D2HBJX5I | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA | 세부 |
|
W947D2HBJX5I TR | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA | 세부 |
|
W947D2HBJX6E | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90TFBGA | 세부 |
|
W947D2HBJX6E TR | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90TFBGA | 세부 |
|
W947D6HBHX5E | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 60TFBGA | 세부 |
|
W947D6HBHX5E TR | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 60TFBGA | 세부 |
|
W947D6HBHX5I | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 60TFBGA | 세부 |
|
W947D6HBHX5I TR | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 60TFBGA | 세부 |
