VS-P122 - Vishay Semiconductor Diodes Division

부품 번호	VS-P122
부품 상태	Active
구조	Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3)
SCR 수, 다이오드 수	2 SCRs, 2 Diodes
전압 - 오프 상태	600V
전류 - 온 상태 (It (AV)) (최대)	-
전류 - 온 상태 (It (RMS)) (최대)	25A (DC)
전압 - 게이트 트리거 (Vgt) (최대)	2V
전류 - 게이트 트리거 (Igt) (최대)	60mA
전류 - 비회원 서지 50, 60Hz (Itsm)	357A, 375A
전류 - 대기 (Ih) (최대)	130mA
작동 온도	-40°C ~ 125°C (TJ)
실장 형	Chassis Mount
패키지 / 케이스	8-PACE-PAK
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
VS-100BGQ015HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 15V 100A POWERTAB	세부
VS-100BGQ030	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWIRTAB	세부
VS-100BGQ030HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB	세부
VS-100BGQ045	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWIRTAB	세부
VS-100BGQ045HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWERTAB	세부
VS-100BGQ100	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 100A POWIRTA	세부
VS-100BGQ100HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB	세부
VS-100MT060WDF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 121A 462W MTP	세부
VS-100MT060WSP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT	세부
VS-100MT160P-P	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD BRIDGE 3PH 100A 1600V MTP	세부