| 부품 번호 | VS-GA200HS60S1PBF |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| IGBT 형 | - |
| 구성 | Half Bridge |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 600V |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 480A |
| 전력 - 최대 | 830W |
| VCE (on) (최대) @ Vge, Ic | 1.21V @ 15V, 200A |
| 전류 - 콜렉터 차단 (최대) | 1mA |
| 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce | 32.5nF @ 30V |
| 입력 | Standard |
| NTC 서미스터 | No |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | INT-A-Pak |
| 공급 업체 장치 패키지 | INT-A-PAK |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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VS-GA200HS60S1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W | 세부 |
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VS-GA200HS60S1PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK | 세부 |
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VS-GA200SA60SP | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-227 | 세부 |
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VS-GA200SA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 200A 500W SOT-227 | 세부 |
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VS-GA200TH60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK | 세부 |
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VS-GA250SA60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 400A SOT227 | 세부 |
