| 부품 번호 | VS-6ESH01HM3/87A |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) | 100V |
| 전류 - 평균 정류 (Io) | 6A |
| 전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If | 940mV @ 6A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 회복 시간 (trr) | 22ns |
| 전류 - Vr의 역 누설 | 2µA @ 100V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-277, 3-PowerDFN |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-277A (SMPC) |
| 작동 온도 - 정션 | -65°C ~ 175°C |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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VS-6ESH01-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 100V 6A TO277A | 세부 |
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VS-6ESH01-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A | 세부 |
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VS-6ESH01HM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 100V 6A TO277A | 세부 |
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VS-6ESH01HM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A | 세부 |
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VS-6ESH02-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 200V 6A TO277A | 세부 |
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VS-6ESH02-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A | 세부 |
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VS-6ESH02HM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 200V 6A TO277A | 세부 |
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VS-6ESH02HM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A | 세부 |
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VS-6ESH06-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 600V 6A TO277A | 세부 |
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VS-6ESH06-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A | 세부 |
