| 부품 번호 | SQJ204EP-T1_GE3 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 12V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 20nC @ 10V, 50nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V |
| 전력 - 최대 | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 공급 업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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SQJ200EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO | 세부 |
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SQJ202EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO | 세부 |
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SQJ204EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L | 세부 |
