| 부품 번호 | SIZ342DT-T1-GE3 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | - |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 15.7A (Ta), 100A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 650pF @ 15V |
| 전력 - 최대 | 3.6W, 4.3W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN |
| 공급 업체 장치 패키지 | 8-Power33 (3x3) |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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SIZ340DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 30A SOT-23 | 세부 |
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SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3 | 세부 |
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SIZ346DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33 | 세부 |
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SIZ348DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR | 세부 |
