| 부품 번호 | SIZ320DT-T1-GE3 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc), 40A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 8A, 10V, 4.24 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V |
| 전력 - 최대 | 16.7W, 31W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN |
| 공급 업체 장치 패키지 | 8-Power33 (3x3) |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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SIZ320DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33 | 세부 |
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SIZ322DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33 | 세부 |
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SIZ328DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR | 세부 |
