SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

부품 번호
SIRA26DP-T1-RE3
제조사
Vishay Siliconix
간단한 설명
MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
557985 pcs
참고 가격
USD 0.29508/pcs
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SIRA26DP-T1-RE3 상세 설명

부품 번호 SIRA26DP-T1-RE3
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 25V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 44nC @ 10V
Vgs (최대) +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2247pF @ 10V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 43.1W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
무게 -
원산지 -

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