| 부품 번호 | SI5515CDC-T1-E3 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 800mV @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 11.3nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 632pF @ 10V |
| 전력 - 최대 | 3.1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 공급 업체 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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SI5511DC | VISHAY | N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | 세부 |
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SI5511DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | 세부 |
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SI5511DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | 세부 |
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SI5513CDC | VISHAY | N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | 세부 |
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SI5513CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 | 세부 |
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SI5513CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 | 세부 |
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SI5513DC | VISHAY | Complementary 20-V (D-S) MOSFET | 세부 |
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SI5513DC-T1 | VISHAYSIL | SI5513DC-T1 VISHAY/SIL POWERP.. New Original Stocks | 세부 |
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SI5513DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 | 세부 |
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SI5513DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 | 세부 |
