SI3867DV-T1-E3

SI3867DV-T1-E3 - Vishay Siliconix

부품 번호
SI3867DV-T1-E3
제조사
Vishay Siliconix
간단한 설명
MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
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SI3867DV-T1-E3 상세 설명

부품 번호 SI3867DV-T1-E3
부품 상태 Obsolete
FET 유형 P-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds -
Vgs (최대) ±12V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 1.1W (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 51 mOhm @ 5.1A, 4.5V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 6-TSOP
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
무게 -
원산지 -

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