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SI3552DV-T1-E3 - Vishay Siliconix

부품 번호: SI3552DV-T1-E3
제조사: Vishay Siliconix
간단한 설명: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: SI3552DV-T1-E3 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 30000 pcs
참고 가격: USD 0.2251/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

SI3552DV-T1-E3 상세 설명

부품 번호	SI3552DV-T1-E3
부품 상태	Active
FET 유형	N and P-Channel
FET 기능	Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	-
Rds On (최대) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	1V @ 250µA (Min)
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	3.2nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	-
전력 - 최대	1.15W
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
패키지 / 케이스	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급 업체 장치 패키지	6-TSOP
무게	-
원산지	-

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