| 부품 번호 | SI1058X-T1-GE3 |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.55V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.9nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 380pF @ 10V |
| Vgs (최대) | ±12V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 236mW (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 91 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | SC-89-6 |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
 |
SI1050X | VISHAY | N-Channel 8-V (D-S) MOSFET | 세부 |
|
SI1050X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F | 세부 |
|
SI1050X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6 | 세부 |
|
SI1050X_08 | VISHAY | N-Channel 8-V (D-S) MOSFET | 세부 |
|
SI1051X | VISHAY | P-Channel 8-V (D-S) MOSFET | 세부 |
|
SI1051X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 | 세부 |
|
SI1051X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 | 세부 |
|
SI1054X | VISHAY | N-Channel 12-V (D-S) MOSFET | 세부 |
|
SI1054X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 | 세부 |
|
SI1054X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 | 세부 |
