| 부품 번호 | IRFIB7N50APBF |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 500V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.6A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1423pF @ 25V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 60W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 4A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-220-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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IRFIB41N15D | IR | IRFIB41N15D IR TO-220.. New Original Stocks | 세부 |
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IRFIB41N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP | 세부 |
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IRFIB5N50L | VISHAY | Power MOSFET | 세부 |
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IRFIB5N50LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 4.7A TO220FP | 세부 |
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IRFIB5N65A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP | 세부 |
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IRFIB5N65APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP | 세부 |
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IRFIB6N60A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP | 세부 |
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IRFIB6N60APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP | 세부 |
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IRFIB7N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP | 세부 |
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IRFIB7N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP | 세부 |
