대한민국
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

IRF530STRR - Vishay Siliconix

부품 번호: IRF530STRR
제조사: Vishay Siliconix
간단한 설명: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: IRF530STRR PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 4427 pcs
참고 가격: USD 0/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

IRF530STRR 상세 설명

부품 번호	IRF530STRR
부품 상태	Obsolete
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Vgs (th) (최대) @ Id	4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	670pF @ 25V
Vgs (최대)	±20V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	3.7W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 8.4A, 10V
작동 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	D2PAK
패키지 / 케이스	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
무게	-
원산지	-

관련 제품 IRF530STRR

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	IRF500	EXSHINE	50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED	세부
	IRF500C10RJ	EXSHINE	50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED	세부
	IRF510	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB	세부
	IRF510L	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262	세부
	IRF510PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB	세부
	IRF510S	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK	세부
	IRF510SPBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK	세부
	IRF510STRL	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK	세부
	IRF510STRLPBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK	세부
	IRF510STRR	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK	세부