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GBU8J-5410M3/51

GBU8J-5410M3/51 - Vishay Semiconductor Diodes Division

부품 번호: GBU8J-5410M3/51
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
간단한 설명: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBU
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: GBU8J-5410M3/51 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 다이오드 - 브리지 정류기
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 33072 pcs
참고 가격: USD 0/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

GBU8J-5410M3/51 상세 설명

부품 번호	GBU8J-5410M3/51
부품 상태	Obsolete
다이오드 유형	Single Phase
과학 기술	Standard
전압 - 피크 역방향 (최대)	600V
전류 - 평균 정류 (Io)	3.9A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If	1V @ 8A
전류 - Vr의 역 누설	5µA @ 600V
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
패키지 / 케이스	4-SIP, GBU
공급 업체 장치 패키지	GBU
무게	-
원산지	-

관련 제품 GBU8J-5410M3/51

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	GBU8J	Fairchild/ON Semiconductor	RECT BRIDGE GPP 8A 600V GBU	세부
	GBU8J-001E3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBU	세부
	GBU8J-001M3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBU	세부
	GBU8J-02E3/P	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBU	세부
	GBU8J-5410M3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBU	세부
	GBU8J-7000M3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBU	세부
	GBU8J-BP	Micro Commercial Co	RECT BRIDGE GPP 8A 600V GBU	세부
	GBU8J-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBU	세부
	GBU8J-E3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 8A 600V GPP INLINE GBU	세부
	GBU8J-E3/72	VISHAY	GBU8J-E3/72 VISHAY SIP4 New Original Stocks	세부