부품 번호 | 2N6660JTVP02 |
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부품 상태 | Obsolete |
FET 유형 | N-Channel |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 990mA (Tc) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 1mA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 50pF @ 25V |
Vgs (최대) | ±20V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1A, 10V |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
공급 업체 장치 패키지 | TO-205AF (TO-39) |
패키지 / 케이스 | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
무게 | - |
원산지 | - |