| 부품 번호 | JANTXV4N48A |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 채널 수 | 1 |
| 전압 - 절연 | 1000VDC |
| 전류 전달 비 (최소) | 100% @ 1mA |
| 전류 전달 비 (최대) | 500% @ 1mA |
| 켜기 / 끄기 시간 (일반) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 20µs, 20µs (Max) |
| 입력 유형 | DC |
| 출력 유형 | Transistor with Base |
| 전압 - 출력 (최대) | 40V |
| 전류 - 출력 / 채널 | 50mA |
| 전압 - 순방향 (Vf) (일반) | 1.5V (Max) |
| 전류 - DC 순방향 (If) (최대) | 40mA |
| Vce 포화도 (최대) | 300mV |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C |
| 실장 형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-78-6 Metal Can |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-78-6 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | 세부 |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | 세부 |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | 세부 |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | 세부 |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | 세부 |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 세부 |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 세부 |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 세부 |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 세부 |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | 세부 |
