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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › TPC8A02-H(TE12L,Q)
TPC8A02-H(TE12L,Q)

TPC8A02-H(TE12L,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
TPC8A02-H(TE12L,Q)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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데이터 시트 PDF 다운로드
TPC8A02-H(TE12L,Q).pdf
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
4017 pcs
참고 가격
USD 0/pcs
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TPC8A02-H(TE12L,Q) 상세 설명

부품 번호 TPC8A02-H(TE12L,Q)
부품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 34nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1970pF @ 10V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 1W (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.6 mOhm @ 8A, 10V
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 8-SOP (5.5x6.0)
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
무게 -
원산지 -

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