TK14G65W,RQ

TK14G65W,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
TK14G65W,RQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
2500 pcs
참고 가격
USD 1.1484/pcs
우리의 가격
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TK14G65W,RQ 상세 설명

부품 번호 TK14G65W,RQ
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 690µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1300pF @ 300V
Vgs (최대) ±30V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 130W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 6.9A, 10V
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 D2PAK
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
무게 -
원산지 -

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