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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › TK12E80W,S1X
TK12E80W,S1X

TK12E80W,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
TK12E80W,S1X
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
1000 pcs
참고 가격
USD 3.63/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

에 대한 견적을 요청하려면 아래 양식을 작성하십시오 TK12E80W,S1X

TK12E80W,S1X 상세 설명

부품 번호 TK12E80W,S1X
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 800V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 570µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 23nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1400pF @ 300V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 165W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 5.8A, 10V
작동 온도 150°C
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 TO-220
패키지 / 케이스 TO-220-3
무게 -
원산지 -

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