| 부품 번호 | SSM6P41FE(TE85L,F) |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 720mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 1mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.76nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 110pF @ 10V |
| 전력 - 최대 | 150mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급 업체 장치 패키지 | ES6 (1.6x1.6) |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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SSM6P41FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6 | 세부 |
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SSM6P47NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A | 세부 |
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SSM6P47NU,LF(T | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A | 세부 |
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SSM6P49NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A | 세부 |
