SSM3K2615TU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호	SSM3K2615TU,LF
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3.3V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	6nC @ 10V
Vgs (최대)	±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	150pF @ 10V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	800mW (Ta)
작동 온도	150°C
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	UFM
패키지 / 케이스	3-SMD, Flat Leads
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
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