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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › SSM3J36MFV,L3F
SSM3J36MFV,L3F

SSM3J36MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
SSM3J36MFV,L3F
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
3510 pcs
참고 가격
USD 0/pcs
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SSM3J36MFV,L3F 상세 설명

부품 번호 SSM3J36MFV,L3F
부품 상태 Discontinued at Digi-Key
FET 유형 P-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 330mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 1.2nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 43pF @ 10V
Vgs (최대) ±8V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 150mW (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 VESM
패키지 / 케이스 SOT-723
무게 -
원산지 -

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