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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › SSM3J35AMFV,L3F
SSM3J35AMFV,L3F

SSM3J35AMFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
SSM3J35AMFV,L3F
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
SSM3J35AMFV,L3F PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
4573622 pcs
참고 가격
USD 0.036/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

에 대한 견적을 요청하려면 아래 양식을 작성하십시오 SSM3J35AMFV,L3F

SSM3J35AMFV,L3F 상세 설명

부품 번호 SSM3J35AMFV,L3F
부품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 250mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs -
Vgs (최대) ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 42pF @ 10V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 150mW (Ta)
작동 온도 150°C
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 VESM
패키지 / 케이스 SOT-723
무게 -
원산지 -

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