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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이, 프리 바이어스드 › RN4906FE,LF(CT
RN4906FE,LF(CT

RN4906FE,LF(CT - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
RN4906FE,LF(CT
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이, 프리 바이어스드
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
2932330 pcs
참고 가격
USD 0.05615/pcs
우리의 가격
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RN4906FE,LF(CT 상세 설명

부품 번호 RN4906FE,LF(CT
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100nA (ICBO)
빈도 - 전환 200MHz
전력 - 최대 100mW
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666
공급 업체 장치 패키지 ES6
무게 -
원산지 -

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