RN2507(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호	RN2507(TE85L,F)
부품 상태	Active
트랜지스터 유형	2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)	100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	50V
저항기 -베이스 (R1) (옴)	10k
저항기 - 이미 터베이스 (R2) (옴)	47k
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대)	100nA (ICBO)
빈도 - 전환	200MHz
전력 - 최대	300mW
실장 형	Surface Mount
패키지 / 케이스	SC-74A, SOT-753
공급 업체 장치 패키지	SMV
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
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