| 부품 번호 | RN1906FE(T5L,F,T) |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 100mA |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
| 저항기 -베이스 (R1) (옴) | 4.7k |
| 저항기 - 이미 터베이스 (R2) (옴) | 47k |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 전류 - 콜렉터 차단 (최대) | 100nA (ICBO) |
| 빈도 - 전환 | 250MHz |
| 전력 - 최대 | 100mW |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급 업체 장치 패키지 | ES6 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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RN1906(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | 세부 |
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RN1906,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | 세부 |
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RN1906,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | 세부 |
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RN1906FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | 세부 |
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RN1906FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | 세부 |
