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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일, 프리 바이어스드 › RN1312(TE85L,F)
RN1312(TE85L,F)

RN1312(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
RN1312(TE85L,F)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일, 프리 바이어스드
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
7500 pcs
참고 가격
USD 0.0483/pcs
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RN1312(TE85L,F) 상세 설명

부품 번호 RN1312(TE85L,F)
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
저항기 -베이스 (R1) (옴) 22k
저항기 - 이미 터베이스 (R2) (옴) -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100nA (ICBO)
빈도 - 전환 250MHz
전력 - 최대 150mW
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323
공급 업체 장치 패키지 USM
무게 -
원산지 -

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