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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이 › HN1B04F(TE85L,F)
HN1B04F(TE85L,F)

HN1B04F(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
HN1B04F(TE85L,F)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
3947 pcs
참고 가격
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HN1B04F(TE85L,F) 상세 설명

부품 번호 HN1B04F(TE85L,F)
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN, PNP
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 500mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 30V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 100mA, 1V
전력 - 최대 300mW
빈도 - 전환 200MHz
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-74, SOT-457
공급 업체 장치 패키지 SM6
무게 -
원산지 -

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